Шустрая техника

Две мощные корпорации – японская Toshiba и корейская Samsung – договорились о разработке новой высокопроизводительной flash NAND-памяти, которая будет иметь под собой в основе спецификацию DDR 2.0 с пропускной способностью в 400мб/с. Компании будут внедрять её не только в свою бытовую и мобильную технику, но и способствовать распространению этой технологии всеми производителями в своих продуктах.
Пропускная способность увеличится втрое по сравнению с DDR 1.0 (133мб/с) и в 10 раз по сравнению с SDR NAND (40мб/с).

В избранное

Написать комментарий

Вы должны войти, чтобы оставлять комментарии.